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SSTA06T116中文资料

SSTA06T116图片

SSTA06T116外观图

  • 大小:92.7KB
  • 厂家:Rohm
  • 描述: TRANSISTOR SOT-23 NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Current Ic Continuous a Max:100mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:200mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:General Purpose
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 10mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):1µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 100mA,1V
  • 功率 - 最大:350mW
  • 频率 - 转换:100MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SST3
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SSTA06T116TR

SSTA06T116供应商

更新时间:2023-02-13 15:27:08
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